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| Part number | Series | Status | Overview |
|---|---|---|---|
| MT8315ET-N | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8361A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8361A-T | Hall-Effect Switches and Latches | Unverified | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8361AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8361ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8361ET-HX | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8362A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8362AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8362ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8381A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8381AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8381ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8382A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8382A-T | Hall-Effect Switches and Latches | Unverified | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8382AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8382ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.8V~60V），以及良 |
| MT8512ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8551A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8551AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8552A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8552AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8553A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8553AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8562A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8562AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8562ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8571A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8571AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8572A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8572AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8573A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8573AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗霍尔开关与锁存器。MT85xx 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（3.0V~24V），以及良好的反向 |
| MT8631A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8631AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8631DT-1616 | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8632A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |