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磁开关 - 低压高速系列

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MT1401-EN MagnTekMT1401-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT3303-EN MagnTekMT3303-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT3411-EN MagnTekMT3411-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT4409-EN MagnTekMT4409-EN采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8111 MagnTekMT8111采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8161 MagnTekMT8161采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8162 MagnTekMT8162采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8181 MagnTekMT8181采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.8V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8762 MagnTekMT8762采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使得芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8901-SD MagnTekMT8901采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8901-SS MagnTekMT8901采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8902-SD MagnTekMT8902采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8902-SS MagnTekMT8902采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8911 MagnTekMT8911采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8911-DUAL MagnTekMT8911-DUAL采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8912 MagnTekMT8912L采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8912-DUAL MagnTekMT8912-DUAL采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production
MT8962 MagnTekMT8962采用BCD工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力，100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力，使的芯片能工作在-40~150℃环境中，并保持优良的性能以及一致性。In production