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| Part number | Series | Status | Overview |
|---|---|---|---|
| MT8632AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8632AT-3D | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8632AT-HX | Hall-Effect Switches and Latches | Unverified | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8633AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8651A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8651AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗全极型霍尔开关。MT86xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低功耗，并且具有优 |
| MT8652A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗3D 检测全极型霍尔开关。MT8652-3D 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低 |
| MT8652AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗3D 检测全极型霍尔开关。MT8652-3D 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低 |
| MT8652AT-3D | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗3D 检测全极型霍尔开关。MT8652-3D 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V 工作电压，1uA 超低 |
| MT8711A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8711AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8711ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8712A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8712AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8712ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8713A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8713AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8713ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8762A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8762AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8762CSP | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8762DT-1616 | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8762ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8763A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8763AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8763ET | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 低功耗高速霍尔开关与锁存器。MT87xx 用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压（2.4V~24V），良好的反向电压保护能力 |
| MT8822DT-1616 | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8823AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8831A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8831AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8831DT-1616 | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8891A | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8891AT | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8891DT-1616 | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 微功耗霍尔开关与锁存器。MT88xx 采用CMOS 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V 工作电压，1.7uA 超低功耗， |
| MT8901A-SD | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向 |
| MT8901A-SS | Hall-Effect Switches and Latches | In production | 双输出车规级霍尔锁存器。MT890x 采用BCD 工艺，具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压（2.7V~24V），以及良好的反向 |