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NOVOSENSE

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MT8001DT-1616 Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-100A Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-100B Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-1KA Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-1KB Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-1KC Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-1KD Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-200A Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-200A-DX Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-200B Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-200B-DX Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-200C Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-400A Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-400B Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-500A Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-700A Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8001DT-1616-700B Linear Position Sensors In production 微距离磁性检测芯片。MT8001 芯片是微距离磁性检测芯片,是基于高灵敏度霍尔进行设计开发的。MT8001 磁性霍尔传感器能够通过I2C 通讯,输出12 位精度
MT8111A Hall-Effect Switches and Latches In production 工业级霍尔开关。MT81xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护
MT8111AT Hall-Effect Switches and Latches In production 工业级霍尔开关。MT81xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护
MT8111AT-B Hall-Effect Switches and Latches In production 工业级霍尔开关。MT81xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护
MT8111ET Hall-Effect Switches and Latches In production 工业级霍尔开关。MT81xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护
MT8111ET-B Hall-Effect Switches and Latches In production 工业级霍尔开关。MT81xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护
MT8181AT Hall-Effect Switches and Latches In production 车规级霍尔锁存器。MT81xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保
MT8311A Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8311A-T Hall-Effect Switches and Latches Unverified 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8311AT Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8311ET Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8312AT Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8312ET Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8313A Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8313AT Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8313BT Hall-Effect Switches and Latches Unverified 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8313ET Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8315A Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8315AT Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良
MT8315ET Hall-Effect Switches and Latches In production 高压高速车规级霍尔开关与锁存器。MT83xx 采用BCD 工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良