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NSI6601C-Q1SPR

Isolated Single-Channel Drivers · NOVOSENSE

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NSI6601C-Q1SPR Product image

Overview

单通隔离式栅极驱动器。NSI6601-Q1是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上升和下降时间,并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 NSI6601提供SOP8(150 mil)封装,根据UL1577可支持3000VRMS隔离, 150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),支持系统鲁棒性。该驱动器的最大电源电压为32V,而输入侧则接受3.1V至17V的电源电压。 所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。NSI6601具有高驱动电流,出色的耐用性,宽电源电压范围和快速信号传播的特性,适用于高可靠性,功率密度和效率的开关电源系统。

Key specifications

Package SOP8
Rating Automotive
Peak Drive Current (A) 5/-5
VCC UVLO Threshold (V) 13
Input Side VCC Voltage (Max) (V) N/A
Output Side VCC Voltage (Max) (V) 35
CMTI (Min) (kV/μs) 150
Isolation Withstand Voltage (kVrms) 3
Insulation Grade Basic insulation
Features Opto-compatible input
Operation Temperature (°C) -40~125
Product description and original resources

产品特性

  • 单通道隔离驱动器
  • 输入侧电源电压:3.1V至17V
  • 驱动器侧电源电压:高达32V(同时具有9V和13V的UVLO选项)
  • 峰值5A/5A拉灌电流能力
  • 高CMTI:±150kV/μs
  • 典型的78ns传播延迟
  • 工作环境温度:-40°C〜125°C
  • 符合RoHS的封装:SOP8(150 mil)

应用场景

  • 隔离式DC / DC和AC / DC电源
  • 高压PFC
  • 太阳能逆变器
  • 电机驱动器和电动汽车充电
  • UPS和电池充电器

NSI6601-Q1是单通道隔离式栅极驱动器,旨在驱动许多应用中的IGBT,功率MOSFET和SiC MOSFET。 它提供分立输出,分别控制上升和下降时间,并可以提供最大5A/5A的拉灌电流能力。 NSI6601提供SOP8(150 mil)封装,根据UL1577可支持3000VRMS隔离, 150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度(CMTI),支持系统鲁棒性。该驱动器的最大电源电压为32V,而输入侧则接受3.1V至17V的电源电压。 所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。NSI6601具有高驱动电流,出色的耐用性,宽电源电压范围和快速信号传播的特性,适用于高可靠性,功率密度和效率的开关电源系统。

Schematic and pinout

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