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锂电保护 CSP MOSFET · NOVOSENSE
12V锂电保护 CSP MOSFET。NPM120xx系列产品是基于CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET，该产品具备优异的短路过流能力与雪崩过压能力，更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。 纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD（>2kV）保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。
| Package | WLCSP |
|---|---|
| Rating | Consumer |
| VDS (V) | 12 |
| VGS (V) | ±8 |
| ID (25℃) (A) | 13.5 |
| RSSON@VGS=4.5V Typ. (mΩ) | 2.3 |
| RSSON@VGS=3.8V Typ. (mΩ) | 2.7 |
| VGSth (V) | 0.6 |
| Polarity | N+N |
| ESD | √ |
NPM120xx系列产品是基于CSP封装12V共漏极双N沟道MOSFET，该产品具备优异的短路过流能力与雪崩过压能力，更强的机械压力耐受能力，可以为便携式锂电设备充放电提供全面的保护。 纳芯微全新CSP封装MOSFET系列产品，采用自有专利芯片结构设计，综合性能优于业内传统Trench VDMOS工艺，拥有超低导通阻抗及高ESD（>2kV）保护功能等特点。该技术兼顾了产品小型化和高过流要求，同时解决了传统CSP封装芯片机械强度低、雪崩能量小、生产组装加工困难等问题，为客户提供更安全、更可靠的产品，简化客户的设计。