| Part Number | 工业/车规级 | Technology | Product status | Package | Polarity | BVDSS(V) | ID(A) | VTH(V) | RDS(ON) @10VTyp | RDS(ON) @4.5VTyp | QG(nC) | PD(W) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE6602N | 工业级 | Trench | Production | SOT-23 | N+P | -30 | -2.7 | -1.6 | 69 | 110 | 5.8 | 1.2 |
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Overview
NCE6602N · N+P MOSFET，技术参数以原厂资料为准。
Key specifications
| 工业/车规级 | 工业级 |
|---|---|
| Technology | Trench |
| Product status | Production |
| Package | SOT-23 |
| Polarity | N+P |
| BVDSS(V) | -30 |
| ID(A) | -2.7 |
| VTH(V) | -1.6 |
| RDS(ON) @10VTyp | 69 |
| RDS(ON) @4.5VTyp | 110 |
| QG(nC) | 5.8 |
| PD(W) | 1.2 |
| BVDSS(V)（组2） | 30 |
| ID(A)（组2） | 3.5 |
| VTH(V)（组2） | 1.5 |
| RDS(ON) @10VTyp（组2） | 36 |
| RDS(ON) @4.5VTyp（组2） | 60 |
| QG(nC)（组2） | 10 |