| Part Number | 工业/车规级 | Technology | Product status | Package | Polarity | BVDSS(V) | ID(A) | VTH(V) | RDS(ON) @10VTyp | RDS(ON) @4.5VTyp | QG(nC) | PD(W) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NCE609* | 工业级 | Trench | Production | TO-252 | N+P | -40 | -14 | -1.5 | 29 | 35 | 21 | 40 |
The interface is in English. Original catalog and editorial content may be in Chinese.
Overview
NCE609 · N+P MOSFET，技术参数以原厂资料为准。
Key specifications
| 工业/车规级 | 工业级 |
|---|---|
| Technology | Trench |
| Product status | Production |
| Package | TO-252 |
| Polarity | N+P |
| BVDSS(V) | -40 |
| ID(A) | -14 |
| VTH(V) | -1.5 |
| RDS(ON) @10VTyp | 29 |
| RDS(ON) @4.5VTyp | 35 |
| QG(nC) | 21 |
| PD(W) | 40 |
| BVDSS(V)（组2） | 40 |
| ID(A)（组2） | 21 |
| VTH(V)（组2） | 1.5 |
| RDS(ON) @10VTyp（组2） | 14 |
| RDS(ON) @4.5VTyp（组2） | 19 |
| QG(nC)（组2） | 24 |