MT8831
MT8831 简介 MT8831采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
MT8831 简介 MT8831采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
MT8691 简介 MT8691采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8652 简介 MT8652采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8651 简介 MT8651采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8633 简介 MT8633采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8632 简介 MT8632采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8631 简介 MT8631采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。2V~5.5V工作电压,1uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主...
MT8763 简介 MT8763采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.4V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,100KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40...
MT8713 简介 MT8713采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,15KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能...
MT8712 简介 MT8712采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(2.4V~24V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,15KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能...