MT6132
MT6132 简介 MT6132采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。...
MT6132 简介 MT6132采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。...
MT6131 简介 MT6131采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。...
MT6343 简介 MT6343采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 ...
MT6341 简介 MT6341采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 ...
MT6325-L 简介 MT6325采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
MT6325 简介 MT6325采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 ...
MT8001 简介 磁性开关位置检测芯片 – 微功耗系列 主要参数 类型 CMOS 采样频率 (Hz) 2.6V~5V 供电电压 (V) <5uA sleep 2.8mA awake 功耗 (uA) -20~85℃ 工作温...
MT8823 简介 MT8823采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
MT8822 简介 MT8822采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
MT8891 简介 MT8891采用CMOS工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。1.6V~5.0V工作电压,1.7uA超低功耗,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~85℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...