
MT8381
MT8381 简介 MT8381采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...
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MT8381 简介 MT8381采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...

MT8362 简介 MT8362采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...

MT8361 简介 MT8361采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...

MT8315 简介 MT8315采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片...

MT8313 简介 MT8313采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...

MT8312 简介 MT8312采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...

MT8311 简介 MT8311采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...

MT1531 简介 MT1531采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。4.5V~5.5V工作电压,可编程线性霍尔芯片。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~150℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 主要参数 类型 用户可...

MT9105 简介 MT9105采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场强度成线性变化。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~150℃环境中...

MT9103 简介 MT9103采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。3.0V~5.5V工作电压,当没有外加磁场的情况下,输出为二分之一Vcc,输出随着磁场强度成线性变化。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~150℃环境中...