
MT8162
MT8162 简介 MT8162采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40...
MT8162 简介 MT8162采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40...
MT8161 简介 MT8161采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40...
MT8111 简介 MT8111采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。工作电压(2.8V~24V),良好的反向电压保护能力和过流保护能力,400KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40...
MT8382 简介 MT8382采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...
MT8381 简介 MT8381采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...
MT8362 简介 MT8362采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...
MT8361 简介 MT8361采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...
MT8315 简介 MT8315采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片...
MT8313 简介 MT8313采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...
MT8312 简介 MT8312采用BCD工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了霍尔感应元件。具有宽泛的工作电压(3.8V~60V),以及良好的反向电压保护能力和过流保护能力,200KHz的采样频率。并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片...