MT6133
MT6133 简介 MT6133采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。...
MT6133 简介 MT6133采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。...
MT6132 简介 MT6132采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。...
MT6131 简介 MT6131采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.65V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。...
MT6343 简介 MT6343采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 ...
MT6341 简介 MT6341采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使的芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 ...
MT6325-L 简介 MT6325采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性...
MT6325 简介 MT6325采用单芯片集成工艺,具有高性能以及高可靠性。芯片内集成了AMR桥阻与ASIC芯片。1.8V~5.5V工作电压,并且具有优良的温度补偿能力,使得芯片能工作在-40~125℃环境中,并保持优良的性能以及一致性。 ...