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NSI6601EC-DSPR

隔离单管驱动 · 纳芯微

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NSI6601EC-DSPR 产品图

简介

单通道隔离式栅极驱动器。NSI6601E 是一款单通道隔离式栅极驱动器,设计用于在众多应用中驱动 IGBT、功率 MOSFET 和 SiC MOSFET。它提供分离式输出,可分别控制上升沿和下降沿时间,峰值灌电流和拉电流能力均可达 5A。 NSI6601E 采用 SOP8 封装,按照 UL1577 标准可支持 3000VRMS 隔离耐压。系统鲁棒性由最低 150kV/μs 的共模瞬态抗扰度(CMTI)提供保障。 该驱动器最高可在 32V 电源电压下工作,输入端可接受 3.1V 至 17V 的电源电压。所有电源电压引脚均具备欠压锁定(UVLO)保护功能。 凭借高驱动电流、出色的鲁棒性、宽电源电压范围和快速信号传输特性,NSI6601E 适用于高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统。

主要参数

Package SOP8
Rating Industrial
Peak Drive Current (A) 5/-5
VCC UVLO Threshold (V) 13
Input Side VCC Voltage (Max) (V) 18
Output Side VCC Voltage (Max) (V) 35
CMTI (Min) (kV/μs) 150
Isolation Withstand Voltage (kVrms) 3
Insulation Grade Basic insulation
Features Separate output
Operation Temperature (°C) -40~125
产品说明与原始资料

产品特性

  • 隔离式单通道驱动器
  • 输入侧电源电压:3.1V 至 17V
  • 驱动侧电源电压:最高 32V,带 9V 和 13V 两种 UVLO(欠压锁定)选项
  • 5A 峰值灌电流和拉电流输出能力
  • 高共模瞬态抗扰度(CMTI):±150kV/μs
  • 典型传播延迟:78ns
  • 工作环境温度:-40°C ~ 125°C
  • RoHS 与 REACH 合规

应用场景

  • 隔离式 DC/DC 与 AC/DC 电源
  • 高压 PFC
  • 光伏逆变器
  • 电机驱动与电动汽车充电
  • UPS 不间断电源与电池充电器

NSI6601E 是一款单通道隔离式栅极驱动器,设计用于在众多应用中驱动 IGBT、功率 MOSFET 和 SiC MOSFET。它提供分离式输出,可分别控制上升沿和下降沿时间,峰值灌电流和拉电流能力均可达 5A。

NSI6601E 采用 SOP8 封装,按照 UL1577 标准可支持 3000VRMS 隔离耐压。系统鲁棒性由最低 150kV/μs 的共模瞬态抗扰度(CMTI)提供保障。
该驱动器最高可在 32V 电源电压下工作,输入端可接受 3.1V 至 17V 的电源电压。所有电源电压引脚均具备欠压锁定(UVLO)保护功能。

凭借高驱动电流、出色的鲁棒性、宽电源电压范围和快速信号传输特性,NSI6601E 适用于高可靠性、高功率密度和高效率的开关电源系统。

原理图 / 引脚

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