产品特性
- 5V至6.5V可调正向输出电压
- -2.5V集成负偏置
- 兼容自举供电
- 独立2A拉电流和4A灌电流
- 5V LDO输出用于外部电路，例如数字隔离器
- 典型最小输入脉冲宽度10ns
- 典型传播延迟38ns
- 典型脉冲失真5ns
- 典型上升时间6.5ns（1nF负载）
- 典型下降时间6.5ns（1nF负载）
- NSD2622N典型死区时间20ns
- 对共模电压变化具有高抗扰能力（±200V/ns），在快速开关期间实现稳健运行
- UVLO及过温保护
- 工作温度：-40°C ~ 125°C
- 符合RoHS的封装：无铅、无卤素
应用场景
- 直流-直流转换器
- 交流转直流转换器
- 开关电源
- 太阳能和不间断电源
NSD2622Nx 是一款高压半桥驱动器，设计用于驱动增强型 GaN HEMT。NSD2622Nx 具有独立的栅极输出，可以通过改变栅极环路的阻抗独立调节导通和关断能力。NSD2622Nx具有正压与负压稳压能力，可帮助保持GaN的栅源电压稳定。正偏置由内部电压调节器维持，输出电压可调范围为 5V 至 6.5V。为了避免在高压或大功率条件下由于串扰导致 GaN HEMT 误导通，该器件还集成了 -2.5V 的负偏置，从而无需外部负偏置电路。此外，NSD2622Nx 还提供 5V 线性稳压器，可作为外部电路（如数字隔离器）的电源供应。该驱动器具有欠压锁定（UVLO）和过温保护（OTP）功能，以确保系统正常工作。
NSD2622N 和 NSD2622NB 唯一的区别是 NSD2622N 有固定的 20ns 死区时间以防止交叉导通，而 NSD2622NB 没有。NSD2622NB 的高端输出（HO）和低端输出（LO）是互相独立的，所以它更适合双向开关 GaN 应用。
该器件可在工规温度范围内运行，-40°C 到 125°C，并且提供紧凑的 5.0 x 7.0mm QFN 封装。